稀土掺杂纳米材料结构调控研究获进展 |
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美国麻省理工开发出新型锂电池 |
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意法安装面积为2×2mm2的50μA功耗温度传感器IC |
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日本通过激光CVD法对氧化铝覆层进行低温高速成膜 |
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日本首次成功地直接观察到锂离子充电电池中的锂原子 |
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世界最小纳米激光器在美问世 |
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美国通用公司开发出500GB记忆容量的光盘 |
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复杂形貌与尺寸变化的纳米管与纳米线热膨胀研究方面取得进展 |
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“石墨烯可用于自旋晶体管中” |
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美开发出种子层厚度减至1/4的溅射技术,可降低TSV的铜嵌入成本 |
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杜克大学开发出铜纳米线的简易制作技术,成为取代ITO的候补 |
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日本开发出致密化氮化硅陶瓷的制作技术 |
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日本东芝公司开发出纠缠发光二极管 |
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罗姆公司开始量产SiC材料制做SBD |
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利用手臂代替触摸面板,通过声波传感器检测位置 |
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半导体制造设备顶级制造商在触摸面板领域发起攻势 |
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半导体照明检测标准:两岸已开始送样测试 |
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半导体照明重大突破 LED灯光可替身无线网络 |
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电场驱动氧化铈相变过程的直接 |
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铁电体纳米棒、纳米管的形成 |
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