美国诺发系统（Novellus Systems）宣布，开发出了用于TSV（硅通孔）的溅射技术。使用TSV的三维封装技术在实现封装的小型化以及提高电气特性方面更有利，作为新一代技术备受期待。但因存在TSV形成工艺的成本较高等课题而难以普及。
　　为了解决这一问题，诺发改进了用于形成铜种子层的溅射技术。据介绍，由此实现了厚度仅为原来的1/4却具有充足特性的铜种子层。具体而言，针对深度为 60μm、宽深（Aspect）比为10：1的通孔，采用此次的技术形成了200nm厚的铜种子层。
　　目前已证实，像原来一样通过电镀在该层嵌入铜时，不会产生空洞（Void Free）。据介绍，采用原来的溅射技术时，如果铜种子层的厚度达不到800nm，就无法实现无空洞的铜嵌入。铜种子层较薄时，可以提高TSV铜嵌入工艺的处理能力（Throughput）并降低成本。另外，此次的溅射技术是通过使用配备“HCM（Hollow Cathode Magnetron）”的“INOVA”平台实现的。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　（来源：日经BP社）

总页数：1  第  1  页