IBM与NEC将合作开发新一代半导体工艺，
构筑通用平台

美国IBM与NEC电子就合作开发新一代半导体工艺技术达成了协议，并签订了合作开发合同。根据该协议，NEC电子将参加2个项目，分别为包括IBM与东芝在内的半导体合作开发小组实施的32nm级核心CMOS工艺合作开发项目，以及今后的尖端工艺核心技术研究项目。NEC电子将成为旨在提高新一代硅技术性能及削减功耗的IBM合作开发联盟的第八家半导体厂商。其他七家公司分别为，新加坡特许半导体制造(Chartered Semiconductor Manufacturing)，美国飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)、德国英飞凌科技（Infineon Technologies），韩国三星电子，意法合资的意法半导体（STMicroelectronics），东芝以及IBM。

此次的合作开发将在位于美国纽约州东费西基尔的IBM的最尖端300mm晶圆工厂，以及位于美国纽约州奥尔巴尼的纽约州立大学奥尔巴尼分校的纳米科学及工程学院(College of Nanoscale Science and Engineering)进行。NEC电子此前一直与东芝进行合作开发，例如，05年11月就合作开发45nm级CMOS工艺技术与东芝达成了协议，之后07年11月又签订了合作开发32nm级以上工艺的合同等。而此次，东芝也加入了IBM的合作开发联盟。NEC电子打算与IBM及其研发合作伙伴共同构筑通用平台，强化SoC的开发及设计力。

NEC电子代表董事社长中岛俊雄表示，“在最尖端的半导体领域，各公司很难单凭核心工艺来实现产品的差异化。本公司除了此前与东芝合作开发之外，还决定通过直接参加IBM的合作开发，来开发与全球大型半导体厂商通用的工艺平台。在通用平台之后，还将尽快投产我们占有优势的混载DRAM工艺产品和具有可靠性强、低功耗等附加价值的SoC”。

（来源：日经BP社）