IR开发出使用氮化镓的功率器件技术平台

美国国际整流器公司（International Rectifier，IR）开发了使用氮化镓（GaN）半导体的功率器件技术平台（英文发布资料）。利用该平台制作的功率器件将考虑向AC-DC转换器、DC-DC转换器、马达驱动电路、照明器具、大功率音响设备及车载设备等扩展。使用氮化镓半导体的功率器件的特点是，在减小导通电阻的同时提高耐压，有助于使用高电压的电路缩小体积、提高效率。该公司预定在2008年11月11～14日于德国慕尼黑举办的“Electronica 2008”上，展出使用氮化镓半导体的功率器件试制品。此外，还将在“Digital Power Forum ‘08”（2008年9月15～17日，于美国旧金山举办）、“Embedded Power Conference 2008”（9月17～18日，于美国圣诺塞举办）、“International Workshop on Power Supply On A Chip”（9月22～24日，于爱尔兰科克举办）上介绍该平台。

此次的技术平台，利用了在硅底板上使氮化镓外延生长的底板。底板的口径为150mm（6英寸）。因在使用硅的现有功率器件生产线制造此次的底板，可降低元件制造成本。IR表示，平台研究开发用了5年时间。

（来源：日经BP社）