富士通面向新一代FeRAM开发出
可擦写1000亿次的存储材料

富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料为置换了部分BiFeO3（BFO）成分而成。新材料与180nm工艺产品采用的物质属同一构造，也可用于90nm工艺以后的FeRAM，因此可实际应用于大容量FeRAM。

一般来说，180nm工艺FeRAM的存储材料采用锆钛酸铅（PZT）。不过，伴随着微细化的推进，PZT就得不到存储信息所需要的电荷量。因此，过去一直认为PZT只限于130nm工艺以上的FeRAM中使用。而BFO是一种可比PZT积蓄更大电荷量的强介电体。但是使用BFO时存在擦写次数比PZT少，且漏电流大的缺点。为此富士通研究所等开发出了采用置换部分BFO成分的Sol-Gel溶液使BFO结晶的“Sol-Gel”技术。此次开发的技术共有两种，一种为利用钐置换部分铋成分，抑制擦写所致劣化的技术。这样，与原来的PZT相比，擦写次数更多，已证实可达到1000亿次。另一种为用铬置换约一半铁成分的Sol-Gel溶液使BFO结晶，从而减少漏电流的技术。采用该技术，漏电流可减少到原BFO的几千分之一，降至与PZT相当的水平。

富士通等今后的目标是融合这两项新开发的技术。另外，还打算通过强介电体的薄膜化降低电压。??

（摘自：日经BP社）